サムスンの新しい Galaxy S25+が Geekbench に登場し、Snapdragon 8 Elite チップを搭載した結果、印象的なスコアをマークしました。このパフォーマンスは、次期 Galaxy S25 シリーズの中で高性能な競争相手としての位置を確立するもので、S24+ やデフォルトの S25 に対して大幅な性能向上を約束しています。特に、Galaxy S25+ はシングルコアテストで3160、マルチコアテストで9941という良好なスコアを記録しており、これは基本的な Galaxy S25 の2481 と 8658 というスコアを大きく上回ります。これにより、S25+ のパフォーマンスは Qualcomm の Snapdragon 8 Elite のリファレンスユニットに迫るものであり、サムスンがこのチップの可能性を最大限引き出そうと努力していることが示されています。
Geekbench のリストは、Galaxy S シリーズのための Snapdragon 8 Elite チップセットが 4.47 GHz で動作していることを確認しており、これは標準バージョンの 4.32 GHz の限界を上回っています。また、Galaxy S25+ には 12 GB の RAM が搭載されており、その前のモデルである Galaxy S24+ とメモリ構成が一致しています。この Galaxy S25 シリーズは、1月22日または23日の発売が期待されています。
興味深いことに、Galaxy S25+ は以前にサムスンの自社製 Exynos 2500 チップセットを搭載した状態で Geekbench に登場し、シングルコアで 2359、マルチコアで 8141 のスコアを記録しました。これらの結果は、Snapdragon 8 Elite を搭載した基本的な S25 の性能に匹敵します。サムスンは、両方のチップのパフォーマンスを微調整し、消費電力、熱管理、およびパフォーマンスの最適なバランスを実現しようとしている可能性があります。
特に、Galaxy S25 Ultra も Geekbench に登場しており、最近のテストではマルチコアスコアが 10,000 を超える一方で、前回のリストではやや失望のスコアを示していました。サムスンの過去の事例から考えると、Galaxy S25 と S25+ は、アメリカ、中国、特定の地域を除いて Exynos チップセットを搭載する可能性が高いです。サムスンの3nmプロセス（Exynos 2500 用）の歩留まりは約20%に過ぎないと言われていますが、Snapdragon 8 Elite はその前のモデルよりも非常に高価です。
そのため、すでにリリースされたデバイスの性能に基づくと、Snapdragon 8 Elite チップは Geekbench リストで示された性能を持続することができると考えられます。ただし、Exynos チップが同様の結果を出せるかどうかは、今後の展開に注目です。
